طراحی مدارات مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانو تیوب کربنی برای پیاده سازی کلیه توابع سه گانه 39 بدون عملیات های ریاضیاتی

Spread the love

چکیده : در این مقاله ، ما یک طراحی جدید عمومی از منطق سه ارزشی (TVL ) را با سرعت بالا ، توان مصرفی کم و خروجی کامل با استفاده از FET های نانو تیوب کربنی را انجام داده ایم . کلیه توابع TVL را می توان در این طراحی پیاده سازی کرد . منطق ارزش سه گانه به علت کاهش دادن اتصالات موجود در مدارات مجتمع و ناحیه تراشه ، جایگزین مناسبی برای منطق باینری محسوب می شود . بنابراین یک طراحی عمومی از TVL ، مسیر خوبی برای اینده طراحی FPGA با استفاده از CNTFET است . در این مقاله ما طراحی عمومی و جدیدی را از منطق سه گانه مبتنی بر CNTFET ها ارائه داده ایم و آن را با طراحی های TVL جهانی مبتنی بر CNTFET مقاومت – خازنی مقایسه کرده ایم . در این پژوهش برای بررسی و ارزیابی توان مصرفی و تاخیر سلول های عمومی مبتنی بر CNTFET شبیه سازی های وسیعی با HSPICE را انجام داده ایم و شبیه سازی را با منابع مختلف تغذیه ، قطر های مختلف CNT و درجه حرارت اتاق انجام داه ایم . نتایج شبیه سازی نشان می دهد که طراحی TVL عمومی پیشنهاد شده در مقایسه با پیاده سازی های TVL عمومی مبتنی بر CNTFET مقاومت بار ، توان مصرفی و تاخیر کمتریی ر …

پاسخ دهید

Specify LinkedIn API Key in Super Socializer > Social Login section in admin panel for LinkedIn Login to work

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *